| 发明名称 | 层叠介质层的形成方法和金属前介质层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种层叠介质层的形成方法，包括：提供具有半导体结构的基底；在所述基底上形成第一介质层；对所述第一介质层进行去潮气处理；在去潮气处理后的第一介质层上形成第二介质层。同时还公开了一种金属前介质层的形成方法。采用本发明所述的方法能够恢复并保持层叠介质层中第一介质层的应力，以获得期望的层叠介质层应力状态。 | ||
| 申请公布号 | CN101593690A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200810113990.4 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 徐强;郑春生 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1、一种层叠介质层的形成方法，其特征在于，包括：提供具有半导体结构的基底；在所述基底上形成第一介质层；对所述第一介质层进行去潮气处理；在去潮气处理后的第一介质层上形成第二介质层。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||