| 主权项 |
1.一种磁阻效应膜,系依顺序具备:反强磁性层,第1非晶质强磁性层,非磁性导层,及强磁性层之顺序的磁阻效应膜,其特征为:在上述反强磁性层与上述第1非晶质强磁性层之间设置结晶性强磁性中间层者。2.如申请专利范围第1项之磁阻效应膜,其中,上述结晶性强磁性中间层,系由Fe,Co,Ni及其合金所选择之至少一种金属所形成者。3.如申请专利范围第2项之磁阻效应膜,其中,上述结晶性强磁性中间层,系NiFe,NiCo,或CoFe。4.如申请专利范围第1项之磁阻效应膜,其中,上述强磁性层系第2非晶质强磁性层者。5.如申请专利范围第1项之磁阻效应膜,其中,上述第1非晶质强磁性层,系以Co为主成分的非晶质强磁性层者。6.如申请专利范围第5项之磁阻效应膜,其中,上述第1非晶质强磁性层,系由CoFeB,CoNb,CoZr,CoZrNb,CoTa,CoTaZr,及CoNbTa所成之组群中所选择之至少一种合金所形成者。7.如申请专利范围第5项之磁阻效应膜,其中,上述第1非晶质强磁性层,系由CoB,CoFeZr,CoFeTa,CoFeNb,CoNiB,CoNiZr,CoNiTa,及CoNiNb所成之组群中所选择之至少一种合金所形成者。8.如申请专利范围第1项至第7项中任何一项之磁阻效应膜,系将反强磁性层,结晶性强磁性中间层,第1非晶质强磁性层,非磁性导电层及强磁性层之叠层构造以复数之周期重复叠层而成者。9.一种磁阻效应膜,其特征为:依顺序具备以反强磁性层,结晶性强磁性中间层,第1非晶质强磁性层,非磁性导电层及强磁性层,强磁性结合上述结晶性强磁性中间层与上述第1非晶质强磁性层,经强磁性结合之上述结晶性强磁性中间层与上述第1非晶质强磁性层系与上述反强磁性层以磁性结合者。10.如申请专利范围第9项之磁阻效应膜,其中,上述结晶性强磁性中间层,系由Fe,Co,Ni及其合金所选择之至少一种金属所形成者。11.如申请专利范围第10项之磁阻效应膜,其中,上述结晶性强磁性中间层,系NiFe,NiCo,或CoFe。12.如申请专利范围第9项之磁阻效应膜,其中,上述强磁性层系第2非晶质强磁性层者。13.如申请专利范围第9项之磁阻效应膜,其中,上述第1非晶质强磁性层,系以Co为主成分的非晶质强磁性层者。14.如申请专利范围第9项之磁阻效应膜,其中,上述第1非晶质强磁性层,系由CoFeB,CoNb,CoZr,CoZrNb,CoTa,CoTaZr,及CoNbTa所成之组群中所选择之至少一种合金所形成者。15.如申请专利范围第9项之磁阻效应膜,其中,上述第1非晶质强磁性层,系由CoB,CoFeZr,CoFeTa,CoFeNb,CoNiB,CoNiZr,CoNiTa,及CoNiNb所成之组群中所选择之至少一种合金所形成者。16.如申请专利范围第9项至第15项中任何一项之磁阻效应膜,系将反强磁性层,结晶性强磁性中间层,第1非晶质强磁性层,非磁性导电层及强磁性层之叠层构造以复数周期重复叠层而成者。图式简单说明:第一图系表示依照本发明之第1实施形态之磁阻效应膜的剖面图。第二图系表示于第一图之实施形态之制造过程的剖面图。第三图系表示于第一图之实施形态之制造过程的剖面图。第四图系表示对于依照本发明之第1实施形态的磁阻效应膜之磁场变化与MR比之变化的图式。第五图系表示依照本发明之第1实施形态之最大MR比之试料间之差异的图式。第六图系表示对于依照本发明之第2实施形态的磁阻效应膜之磁场变化与MR比之变化的图式。第七图系表示依照本发明之第2实施形态之最大MR比之试料间之差异的图式。第八图系表示依照检讨非晶质强磁性层之膜厚度化时的本发明之磁阻效应膜之构造的剖面图。第九图系表示检讨强磁性层之膜厚时之比较的磁阻效应膜之构造的剖面图。第十图系表示对于本发明的磁阻效应膜之非晶质强磁性层及比较的磁阻效应膜之强磁性层之膜厚变化与最大MR比之变化的图式。第十一图系表示对于本发明的磁阻效应膜之非晶质强磁性层及比较的磁阻效应膜之强磁性层之膜厚变化与动作磁场之变化的图式。第十二图系表示用以说明第十一图之动作磁场(Hp)所用的图式。第十三图系表示依照本发明之第3实施形态的磁阻效应膜的剖面图。第十四图系表示依照本发明之第4实施形态的磁阻效应膜的剖面图。第十五图系表示使用本发明的磁阻效应膜之磁阻效应元件之构造之一例子的斜视图。第十六图系表示依照本发明之第5实施形态的磁阻效应膜的剖面图。第十七图系表示于第十六图之实施形态之磁阻效应膜之磁场-磁化曲线的图式。 |
