| 发明名称 | 自对准半导体接触结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种自对准接触结构及其形成方法，包括限定的邻近栅电极，相邻的侧壁构形得相互角形相对。使用衬里层保护栅电极的角形表面，衬里层延伸接触窗口的长度，定义了接触窗口的侧壁。 | ||
| 申请公布号 | CN100565808C | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200310104557.1 | 申请日期 | 2003.10.31 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金成澔;朴东健;李昌燮;崔晶东;金成玟;李信爱 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：衬底上的两个相邻栅电极，每个栅电极具有相对的第一和第二侧壁以及顶面，其中各个栅电极的第一侧壁分别具有上部，该上部具有倾斜轮廓；氮化硅衬里，直接接触每个栅电极的第一和第二侧壁以及顶面；以及自对准接触焊盘，在两个相邻栅电极的第一侧壁之间，以电连接到该两个相邻栅电极之间的衬底上，所述自对准接触焊盘直接接触所述氮化硅衬里，其中，所述衬里包括第一衬里层和第二衬里层，第一衬里层直接接触顶面、第二侧壁和第一侧壁的下部，以及第二衬里直接接触第一侧壁的具有倾斜轮廓的上部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||