| 发明名称 | 制造双极晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种在第一沟槽(11)中制造双极晶体管的方法，其中，仅仅应用一个光刻掩模来形成第一沟槽(11)和第二沟槽(12)。在第一沟槽(11)和第二沟槽(12)中自对齐形成集电极区域(21)。基极区域(31)自对齐形成于第一沟槽(11)中的集电极区域(21)的一部分上。发射极区域(41)自对齐形成于基极区域(31)的一部分上。集电极区域(21)的触头形成于第二沟槽(12)中，基极区域(31)的触头形成于第一沟槽(11)中。双极晶体管的制造可以集成在标准CMOS过程中。 | ||
| 申请公布号 | CN100565822C | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200680014321.0 | 申请日期 | 2006.04.24 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 菲利皮·默尼耶-贝亚尔;埃尔文·海曾;约翰内斯·J·T·M·东科尔斯;弗朗索瓦·纳耶 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 源;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种用于制造双极晶体管的方法，所述方法包括：在半导体衬底(1)上设置层叠，所述层叠包括：所述半导体衬底(1)上的第一隔离层(2)、所述第一隔离层(2)上的第一半导体层(3)、所述第一半导体层(3)上的第二隔离层(4)、以及所述第二隔离层(4)上的第二半导体层(5)；在所述层叠和所述半导体衬底(1)的一部分中形成第一沟槽(11)和第二沟槽(12)，其中，所述第一沟槽(11)和所述第二沟槽(12)由突起(14)进行分离，所述突起(14)包括所述层叠的一部分以及所述半导体衬底(1)的第一部分；去除所述半导体衬底(1)的第一部分，从而在所述第一沟槽(11)和所述第二沟槽(12)之间形成下穿通道(18)，其中，所述下穿通道区域(18)暴露所述半导体衬底(1)的一部分；在所述半导体衬底(1)的暴露部分上形成集电极区域(21)以及在所述第一半导体层(3)和所述第二半导体层(5)的暴露部分上形成密封区域(22)，这两个区域均包括半导体材料，其中，所述集电极区域(21)填充所述下穿通道区域(18)并且所述密封区域(22)对所述第二沟槽(12)进行密封；形成在所述第一沟槽(11)中的所述集电极区域(21)的部分上延伸的基极区域(31)；在所述第一沟槽(11)中形成隔离物(25)，从而在所述第一沟槽(11)中形成所述集电极区域(21)的暴露部分；以及在所述第一沟槽(11)中的所述集电极区域(21)的暴露部分上形成发射极区域(41)。 | ||
| 地址 | 荷兰爱因霍芬 | ||