固态配置中电容器之制造方法

摘要

本发明有关电容器之制造,特别是有关堆叠电容器之动态记忆体单元配置,其在第一导电材料上叠上一个第二导电材料,其可对第一层作选择蚀刻。由这些层可形成层状结构,该层状结构之侧面有导电支撑结构。在层状结构中可形成开口,尤其是间隙,在开口处,层表面并未覆盖。第二层材料可利用第一材料而选择性去除。第一材料(41)及支撑材料(5)之层之未覆盖表面可提供一电容介电质(6),在上面可沈积一个反电极(counter- electrode)(7)。电容器可选择性地对p+掺杂之多晶矽而对P-掺杂之多晶矽进行蚀刻而制成。

主权项

1.一种固态配置中电容器之制造方法,其特征为:-形成一序列层(4),包含由第一材料(41)及第二材(42)所制成之交错层,其中第一材料为导电性且可使第二材料被选择性蚀刻,-序列层在形成结构后可生成有侧面之至少一层状结构(4');-形成由导电组成之支架(5),该支架至少覆盖有侧面之至少一个层状结构(4');-在层状结构至少形成一开口,其中由第一及第二材料所作成之层(41,42)表面开口未覆盖;-第二材料层(42)可依据第一材料层(41)及支架(5)来选择性去除;-由第一材料(41)及支架(5)制成的层之未覆盖表面设有一电容器介电质(6);-在电容器介电质(6)表面上形成一闸电极(7);-第一材料(41)及支架(5)之制成的层之掺杂浓度为大于1020cm-3之掺p+多晶矽,而第二材料则为小于1019cm-3之掺p-多晶矽;-此选择性蚀刻例如可于一种含有乙二胺、邻苯二酚、及水之硷金属蚀刻溶液中进行,此溶液之浓度在下列区域内较佳:1公升乙二胺、160公克邻苯二酚、6公克、及133毫升之水;此外,含有10至50重量百分比之KOH溶液亦可用作蚀刻溶液;此蚀刻具有对于p+及p-多晶矽为至少1:500之选择性。2.如申请专利范围第1项之方法,其中-第一及第二材料层(41)及(42)系由当多晶矽沈积形成;-支架系由掺杂矽之选择磊晶成长形成。3.如申请专利范围第2项之方法,其中选择磊晶成长系利用SiCl2H2.Hcl、H2.B2H6并在700℃至750℃之温度范围进行。4.如申请专利范围第1项之方法,其中-第一及第二材料层(241)及(242)由多晶矽当场沈积而形成;-支架(25')系由当场沈积及一掺杂多晶矽层(25)回蚀而形成。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中在层状结构(4')内之开口,可将层状结构分割,将支架(5)分成间隙隔开之二部份。6.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中基材(1)包含一固态基材,其在序列层(4)表面上见有选择电晶体(AT)、位元线(BL)、字元线(WL)及一隔离层(2)。7.如申请专利范围第5项之方法,其中基材(1)包含一固态基材,其在序列层(4)表面上见有选择电晶体(AT)、位元线(BL)、字元线(WL)及一隔*离层(2)。图式简单说明:第一图是有第一及第二材料层交错之基底。第二图是有层状结构之一基材。第三图是在形成覆盖层状结构侧面之支架后之基材。第四图是选择性蚀去第二材料后露出开口之一基材。第五图是形成电容器介电质及一个反电极后之基材。第六图是第五图中沿基材VI-VI之部份。第七图是有第一及第二材料层交错之序列层之基材。第八图是由序列层形成层状结构之基材。第九图是在层状结构上沈积一个层之基材。第十图是非等向性回蚀以形成支撑结构之基材。第十一图是选择性蚀去第二材料后露出开口之基材。第十二图是形成电容器介电质及反电极后之基材。第十三图是交叠形成之层状结构。第十四图是网络形成之层状结构。