| 主权项 |
1.一种积体电路金属层光阻图案重新加工的方法,系包含下列步骤:(a)形成一金属层及一抗反射层于一基板的表面;(b)定义出光阻图案于所述抗反射层表面;(c)去除有瑕疵的光阻图案;(d)利用含氮电浆对所述抗反射层进行表面处理;(e)重覆步骤(b)重新定义光阻图案。2.如申请专利范围第1项所述金属层光阻图案重新加工的方法,其中所述金属层是铝系合金。3.如申请专利范围第1项所述金属层光阻图案重新加工的方法,其中所述抗反射层是氧化氮化矽(SiON)。4.如申请专利范围第1项所述金属层光阻图案重新加工的方法,其中所述去除有瑕疵的光阻图案的步骤是以第一阶段系利用湿蚀刻方式,而第二阶段系利用乾蚀刻方式来达成。5.如申请专利范围第1项所述金属层光阻图案重新加工的方法,其中所述含氮电浆是氧化二氮(N2O)。6.如申请专利范围第5项所述金属层光阻图案重新加工的方法,其中所述氧化二氮(N2O)电浆是在流量介于100-1000sccm之间,进行20至60秒钟。7.如申请专利范围第1项所述金属层光阻图案重新加工的方法,其中所述含氮电浆是氧化氮(NO)或氮气之一。8.一种积体电路金属层光阻图案重新加工的方法,系包含下列步骤:(a)形成一金属层及一抗反射层于一基板的表面;(b)定义出光阻图案于所述抗反射层表面;(c)去除有瑕疵的光阻图案;(d)利用氧化二氮(N2O)电浆对所述抗反射层进行表面处理;(e)重覆步骤(b)重新定义光阻图案。9.如申请专利范围第8项所述金属层光阻图案重新加工的方法,其中所述金属层是铝系合金。10.如申请专利范围第8项所述金属层光阻图案重新加工的方法,其中所述抗反射层是氧化氮化矽(SiON)。11.如申请专利范围第8项所述金属层光阻图案重新加工的方法,其中所述去除有瑕疵的光阻图案的步骤是以第一阶段系利用湿蚀刻方式,而第二阶段系利用乾蚀刻方式来达成。12.如申请专利范围第8项所述金属层光阻图案重新加工的方法,其中所述氧化二氮(N2O)电浆是在流量介于100-1000sccm之间,进行20至60秒钟。13.一种积体电路光阻图案重新加工的方法,系包含下列步骤:(a)形成一图案层及一抗反射层于一基板的表面;(b)定义出光阻图案于所述抗反射层表面;(c)去除有瑕疵的光阻图案;(d)利用含氮电浆对所述抗反射层进行表面处理;(e)重覆步骤(b)重新定义光阻图案。14.如申请专利范围第13项所述光阻图案重新加工的方法,其中所述图案层是金属。15.如申请专利范围第14项所述光阻图案重新加工的方法,其中所述金属是铝系合金。16.如申请专利范围第13项所述光阻图案重新加工的方法,其中所述抗反射层是氧化氮化矽(SiON)。17.如申请专利范围第13项所述光阻图案重新加工的方法,其中所述去除有瑕疵的光阻图案的步骤是以第一阶段系利用湿蚀刻方式,而第二阶段系利用乾蚀刻方式来达成。18.如申请专利范围第13项所述光阻图案重新加工的方法,其中所述含氮电浆是氧化二氮(N2O)。19.如申请专利范围第18项所述光阻图案重新加工的方法,其中所述氧化二氮(N2O)电浆是在流量介于100-1000sccm之间,进行20至60秒钟。20.如申请专利范围第13项所述光阻图案重新加工的方法,其中所述含氮电浆是氧化氮(NO)或氮气之一。图式简单说明:图一为习知技艺涂布光阻层后的半导体基板剖面图。图二为本发明实施例涂布光阻层后的半导体基板剖面图。图三为本发明实施例定义金属层光阻图案后的半导体基板剖面图。图四为本发明实施例抗反射层进行表面处理的半导体基板剖面图。 |
