| 发明名称 | 半导体发光元件及其晶粒制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体发光元件及其晶粒制作方法，该半导体发光元件，包含一衬底、一外延层、至少一金属反射层和一保护层。该外延层生长于该衬底的正面。该至少一金属反射层形成于该衬底的背面。该保护层形成于该金属反射层之上并包覆该金属反射层。本发明公开的半导体发光元件和其晶粒制作方法，在使用锡合金固晶时，可有效抵抗爬锡现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101577299A | 申请公布日期 | 2009.11.11 |
| 申请号 | CN200810096702.9 | 申请日期 | 2008.05.05 |
| 申请人 | 先进开发光电股份有限公司 | 发明人 | 曾文良;陈隆欣 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨;吴世华 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光元件，包含：一衬底；一外延层，生长于该衬底的正面；至少一金属反射层，形成于该衬底的背面；以及一保护层，形成于该金属反射层之上并包覆该金属反射层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||