| 摘要 |
La présente invention a pour objet une composition d'électrodéposition destinée notamment à revêtir avec du cuivre un substrat semi-conducteur servant à fabriquer des structures de type « via traversant » pour la réalisation d'interconnections dans des circuits intégrés. Selon l'invention, ladite solution comprend des ions de cuivre en concentration comprise entre 14 et 120 mM ainsi que de l'éthylènediamine, le rapport molaire entre l'éthylènediamine et le cuivre étant compris entre 1,80 et 2,03 et le pH de la solution d'électrodéposition étant compris entre 6,6 et 7,5. La présente invention a également pour objet l'utilisation de ladite solution d'électrodéposition pour le dépôt d'une couche de germination de cuivre ainsi que le procédé de dépôt d'une couche de germination de cuivre à l'aide de la solution d'électrodé position selon l'invention. |
