| 发明名称 | 晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面制作注入阻挡层，界定源极和漏极区域；将掺杂离子和碳离子注入半导体衬底中的源极和漏极区域；对半导体衬底进行退火处理。本发明的优点在于可以提高源极和漏极的载流子迁移率，从而提高晶体管如MOSFET的饱和电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101567318A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200810036656.3 | 申请日期 | 2008.04.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人 | 翟 羽 |
| 主权项 | 1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面制作注入阻挡层，界定源极和漏极区域；将掺杂离子和碳离子注入半导体衬底中的源极和漏极区域；对半导体衬底进行退火处理。 | ||
| 地址 | 201210上海市浦东新区张江路18号 | ||