钨单晶晶须的低温催化合成方法

摘要

钨单晶晶须的低温催化合成方法，包括下述工艺步骤：1：按质量百分比取5％～30％的金属硝酸盐与70％～95％的氧化钨粉末混合均匀；2：将步骤1所得混合物在750～950℃温度下煅烧2小时，得到混合金属氧化物；3：将步骤2获得的金属氧化物粉末置于管式炉中，加热到800～1000℃，同时通入露点在15～40℃的过水氢气和氮气的混合气体，保温0.5～2小时进行还原反应，保持气氛不变，随炉降至室温，其中氮气和氢气的体积比为1∶3。本发明工艺方法简单、合成条件易于控制、操作方便、合成成本低廉、合成的钨晶须长径比大、纯度高、产量大，对设备要求简单，适于工业化生产，为高纯度钨单晶晶须的产业化提供了一种可行的技术方案。

主权项

1、钨单晶晶须的低温催化合成方法，包括下述工艺步骤：第一步：按质量百分比取5％～30％的金属硝酸盐与70％～95％的氧化钨粉末混合均匀；第二步：将第一步所得混合物在750～950℃温度下，在空气中煅烧2小时，得到混合金属氧化物；第三步：将第二步获得的金属氧化物粉末置于管式炉中，加热到800～1000℃，同时通入露点在15～40℃的过水氢气和氮气的混合气体，保温0.5～2小时进行还原反应，保持气氛不变，随炉降至室温，其中氮气和氢气的体积比为1∶3。