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Es wird ein Verfahren und ein System zum beschränkten Emittanzwachstum in einem Elektronenstrahl (28) offenbart. Das System (10) enthält ein Emitterelement (26), das eingerichtet ist, um einen Elektronenstrahl (28) zu erzeugen, und eine Extraktionselektrode (28), die benachbart zu dem Emitterelement (26) angeordnet ist, um den Elektronenstrahl (28) aus diesem zu extrahieren. Das System (10) enthält ebenfalls ein netzartiges Gitter (32), das in der Öffnung (24) der Extraktionselektrode (20) angeordnet ist, um eine Intensität und Gleichförmigkeit eines elektrischen Feldes an einer Oberfläche des Emitterelementes (26) zu verstärken, und eine Emittanz-Kompensations-Elektrode (ECE) (34), die benachbart zu dem netzartigen Gitter (32) auf der Seite des netzartigen Gitters (33) gegenüberliegende zu dem Emitterelement (26) positioniert ist, und die eingerichtet ist, ein Emittanzwachstum des Elektronenstrahls (28) zu steuern.
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