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经营范围
发明名称
二次电池结构
摘要
本创作系提供一种二次电池结构,其包括有一蓄电体以及二端子组;此蓄电体二端具有二端盖,每一端盖内表面具有一凹槽以及一连通此凹槽之穿孔;而此二端子组分别包括有一螺杆以及一迫紧件,且每一螺杆穿过其中一端盖之穿孔,各个螺杆并具有一头部位于端盖之凹槽内,又,迫紧件系由外朝内结合在螺杆上且位在端盖外侧,因此可以将电线或导电片锁紧于迫紧件以及蓄电体之间,具有不易脱落之优点,故耐得住震动频繁之场合,特别适用在移动物体上,又,本创作之电池结构简单,适合标准化低成本作业。
申请公布号
TWM366179
申请公布日期
2009.10.01
申请号
TW097223356
申请日期
2008.12.26
申请人
昇阳国际半导体股份有限公司
发明人
杨敏聪
分类号
H01M10/00
主分类号
H01M10/00
代理机构
代理人
林火泉
主权项
一种二次电池结构,包括一蓄电体以及二对立设在该蓄电体二端之端子组;其特征在:该蓄电体具有二端盖,每一该端盖内表面具有一凹槽以及一连通该凹槽之穿孔;以及每一该端子组具有一螺杆穿过一该端盖之穿孔,且该螺杆具有一头部位在该凹槽内;以及一迫紧件结合该螺杆,且该迫紧件位在该端盖外表面。
地址
新竹市科学工业园区力行路6号6楼
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