| 发明名称 | 用于减小接触电阻的方法和结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了减小接触开口内接触电阻的半导体结构以及形成该结构的方法。这在本发明中通过用含金属锗化物接触材料取代常规的接触冶金，例如钨，或金属硅化物，例如Ni硅化物或Cu硅化物实现。在本发明中使用术语“含金属锗化物”表示纯金属锗化物(即，MGe合金)或包括Si的金属锗化物(即，MSiGe合金)。 | ||
| 申请公布号 | CN100541799C | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN200710103804.4 | 申请日期 | 2007.05.15 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | C·E·默里;C·拉沃耶;K·P·罗德贝尔 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于 静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，包括在其上设置的至少一个场效应晶体管，所述半导体衬底包括位于邻近所述至少一个场效应晶体管的硅化物接触区域；层间绝缘层，位于所述半导体衬底上并在所述至少一个场效应晶体管上延伸，所述层间绝缘层具有暴露所述硅化物接触区域的接触开口；含金属锗化物接触材料，在所述接触开口中。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||