| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：透明的衬底；半导体材料层，形成在衬底的顶面上，并具有产生光的有源层；以及，荧光层，形成在衬底的背面上，并具有不同的厚度。穿过荧光层传播时波段变化的光与有源层中产生的初始光的比率通过利用改变荧光层的厚度控制，从而从发光二极管中发射所需的均匀的白光。 | ||
| 申请公布号 | CN100541835C | 申请公布日期 | 2009.09.16 |
| 申请号 | CN03149254.1 | 申请日期 | 2003.06.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郭准燮;赵济熙 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管，包括：衬底，其透射光；半导体材料层，形成在衬底的顶面上，并具有产生光的有源层；以及荧光层，形成在衬底的背面上，并具有不同的厚度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||