发明名称 衬底处理方法和衬底处理系统
摘要 提供的是采用对一个衬底至少两次执行光刻和刻蚀的多图案化技术的衬底处理方法。通过使用衬底处理系统来执行该衬底处理方法,在该衬底处理系统中准备有用于执行光刻的每一步骤的多个处理单元。在对衬底执行第二次光刻时,为了使用与第一次光刻所使用的处理单元相同的处理单元,来执行第二次光刻的一个或多个步骤,将基于第一次光刻的处理历史来自动选择将将用于第二次处理的处理单元。
申请公布号 CN101536151A 申请公布日期 2009.09.16
申请号 CN200780042316.5 申请日期 2007.11.14
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 山本雄一
分类号 H01L21/027(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/027(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 王 岳;王忠忠
主权项 1. 一种衬底处理方法,包括光刻处理和刻蚀处理,每个所述处理对一个衬底执行至少两次,其中,光刻处理包括用于在所述衬底上形成具有预定图案的掩模的多个步骤,其中所述刻蚀处理通过使用由所述光刻处理形成的掩模来刻蚀所述衬底,并且其中通过使用具有多个处理单元组的衬底处理系统来执行所述衬底处理方法,所述多个处理单元组分别被分配给所述多个处理步骤,并且每个处理单元组包括多个同一类型的处理单元,所述方法进一步包括下述步骤:判断从现在开始将对衬底执行的光刻处理是对衬底的第一次光刻处理,还是对衬底的第二次或更多次的光刻处理;如果所述判断步骤判断出从现在开始将要对所述衬底执行的光刻处理是第二次或更多次的对所述衬底的光刻处理的话,则通过按照下述方式从每个处理单元组中选择一个处理单元来决定在从现在开始将要执行的光刻处理中将使用的处理单元,所述方式为在从现在开始将要对衬底执行的光刻处理中将使用的至少一个处理单元与在最近对衬底执行的光刻处理中所使用的处理单元相同。
地址 日本东京都