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发明名称
制备高密度金属氧化物层的方法及由此方法制造的层
摘要
本发明系关于一种制造氧化物层之方法,其涉及使金属表面氧化,其中该金属表面系电连接至电子控制单元(ECU);其中,所制造的金属氧化物层具有存在于该金属氧化物层中的金属量,该金属量高于存在于藉由在ECU不存在的情况下使金属表面氧化而制造的金属氧化物层中的金属量;或使可氧化非金属导电表面氧化,其中该可氧化非金属导电表面系电连接至电子控制单元(ECU);其中,所制造的氧化物层比藉由在ECU不存在的情况下使该可氧化非金属导电表面氧化所制造的氧化物层更密实;及藉此制造的金属氧化物层或氧化物层。
申请公布号
TW200936814
申请公布日期
2009.09.01
申请号
TW097134274
申请日期
2008.09.05
申请人
应用半导体国际有限公司;美国普林斯顿大学信托会
发明人
安德鲁B 玻卡斯利;柏岚特W 柯比;大卫 道林
分类号
C23F13/00(2006.01)
主分类号
C23F13/00(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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