| 摘要 |
本发明之半绝缘性氮化物半导体基板之制造方法包括以下步骤：于基底基板(1)上形成掩模(3)之步骤，该掩模(3)系将宽度或直径Ds为10 μm~100 μm之点状或条状被覆部排列成间隔Dw为250 μm~2000 μm者；藉由HVPE法，供给第五族/第三族之比R#sB!5/3#eB!为1~10之第三族原料气体及第五族原料气体、以及含铁之气体，并于1040℃~1150℃之生长温度下，于基底基板(1)上生长氮化物半导体结晶(5)之步骤；以及除去基底基板(1)之步骤；从而，获得比电阻为1×10#sP!5 #eP!Ωcm以上、厚度为100 μm以上之独立的半绝缘性氮化物半导体基板(5s)。如此，可获得翘曲较少且不会产生裂缝之半绝缘性氮化物半导体结晶基板。 |
