Verfahren zum Erzeugen eines verformten Kanalgebiets in einem Transistor durch eine tiefe Implantation einer verformungsinduzierenden Sorte unter das Kanalgebiet

摘要

Durch Einbau einer Kohlenstoffsorte unter dem Kanalgebiet eines p-Kanaltransistors vor der Herstellung der Gateelektrodenstruktur kann ein effizienter verformungsinduzierender Mechanismus bereitgestellt werden, wodurch das Leistungsverhalten von p-Kanaltransistoren verbessert wird. Die Lage und die Größe des verformungsinduzierenden Gebiets wird auf der Grundlage einer Implantationsmaske und entsprechender Implantationsparameter festgelegt, wodurch ein hohes Maß an Kompatibilität mit konventionellen Trechniken geschaffen wird, da das verformungsinduzuierende Gebiet während einer frühen Fertigungsphase eingebaut werden kann.