| 发明名称 | 集成有鳍式FET的平面型衬底器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 集成有鳍式场效应晶体管(FinFET)的平面型衬底器件(100)及其制造方法，包括绝缘体上硅(SOI)晶片(101)，后者包括：衬底(103)；衬底(103)上的隐埋隔离层(105)；以及在该隐埋隔离层(105)上的半导体层(115)。该结构(100)还包括在该隐埋隔离层(105)上的FinFET(130)以及集成在该衬底(103)中的场效应晶体管(FET)(131)，其中，FET(127)栅极与FinFET栅极(125)在同一平面内。该结构(100)还包括配置在该衬底(103)中的后向阱区(104、106、108、110)。在一种实施方式中，该结构(100)还包括配置在衬底(103)中的浅沟槽隔离区(111)。 | ||
| 申请公布号 | CN100533758C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN200580035484.2 | 申请日期 | 2005.10.11 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 布伦特·A.·安德森;爱德华·J.·诺瓦克;杰德·H.·兰金 |
| 分类号 | H01L29/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 1. 一种半导体结构，包括：衬底；在所述衬底上的隐埋隔离层；在所述隐埋隔离层上的鳍式场效应晶体管；以及在所述衬底中的场效应晶体管，其中，所述场效应晶体管的栅极区与所述鳍式场效应晶体管的栅极区在同一平面内。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||