| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法、有源矩阵器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种制造TFT(10)的方法，该TFT包括由半导体层(4)形成的半导体沟道(6)连接的源(8)和漏极(8``)、栅绝缘层(7)和栅电极(8`)。该方法包括步骤：在支撑衬底(1)上提供包括促进晶化的材料(CEM)的箔并淀积半导体层(4)；加热半导体层(4)，以致使半导体层(4)从暴露于箔(2)的CEM的区域结晶。该方法可以进一步包括在箔(2)和半导体层(4)之间提供布图的阻挡层(3)的步骤，其中半导体层(4)从通过阻挡层(3)中的通孔暴露于箔(2)的CEM的区域结晶。同样公开了由相同方法制造的一种TFT(10)和有源矩阵器件(20)，该有源矩阵器件(20)包括有源元件(22)的行和列阵列，其中每个元件(22)与这种TFT(10)相关，该TFT连接到相应的行(24)和列(23)导体。 | ||
| 申请公布号 | CN100533664C | 申请公布日期 | 2009.08.26 |
| 申请号 | CN01800610.8 | 申请日期 | 2001.03.13 |
| 申请人 | 统宝香港控股有限公司 | 发明人 | D·T·穆尔利;M·J·特赖诺尔 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁 永 |
| 主权项 | 1. 一种制造薄膜晶体管的方法，该薄膜晶体管包括由半导体层形成的半导体沟道连接的源和漏电极、栅绝缘层和栅电极，该方法包括步骤：在支撑衬底上淀积半导体层并提供包含促进结晶的材料的一种箔；以及加热半导体层，以致使半导体层从暴露于箔的促进结晶的材料的区域结晶，其特征在于，首先在支撑衬底上提供箔，然后淀积半导体层，并且所述方法进一步包括在箔和半导体层之间提供布图的阻挡层的步骤，半导体层通过阻挡层中的通孔暴露于箔的促进结晶的材料的区域结晶。 | ||
| 地址 | 香港沙田香港科学园区科技大道东5号飞利浦大厦二楼 | ||