发明名称 一种带隙电压参考电路以及用于产生温度曲率校准电压参考的方法
摘要 一种带隙电压参考电路(1)包括一个带隙单元(7),该带隙单元中包括第一(Q1,Q2)与第二晶体管(Q3,Q4),它们分别被设置来产生一个校准PTAT电压(AVbe),该电压与第一及第二晶体管堆(8,9)的基极-射极电压差成正比,且被形成在一个主要电阻(R1)两端。一个第一电流镜电路(10)向第一与第二晶体管(Q1,Q4)的射极提供PTAT电流(12至15),一个运算放大器(A1)将第一晶体管堆(8)中第一晶体管(Q2)射极上的电压保持在与电阻(R1)上的电压相同的电平上,并接收一个来自第一电流镜电路(10)的PTAT电流,其他PTAT电流都是从该PTAT电流镜像而得到的。形成在主要电阻(R1)两端的校准PTAT电压(dVbe)被缩放到一个次要电阻(R3)两端,并与第一晶体管堆(8)中第一晶体管(Q1)未经校准的基极-射极CTAT电压叠加,从而在输出端(5)与接地端(3)之间提供电压参考。一个CTAT校准电流(Icr)与PTAT电流(13)相加,并被提供给第二晶体管堆(9)中第二晶体管(Q3)的射极,从而形成在主要电阻(R1)两端的校准PTAT电压(dVbe)具有与第一晶体管(Q1)未经校准的基极-射极CTAT电压的TlnT温度曲率互补的TlnT曲率。这样,形成在输出端(5)与接地端(3)之间的参考电压就是温度稳定且经过TlnT温度曲率校准的。CTAT校准电流是在一个CTAT电流生成电路(12)中根据第一晶体管(Q1)的基极-射极CTAT电压产生的,且流经了第二电流镜电路(15)。
申请公布号 CN100527040C 申请公布日期 2009.08.12
申请号 CN200480002422.7 申请日期 2004.02.23
申请人 阿纳洛格装置公司 发明人 史蒂文·马林卡
分类号 G05F3/30(2006.01)I 主分类号 G05F3/30(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 马 浩
主权项 1. 一种带隙电压参考电路,用于提供经过TlnT温度曲率校准的温度稳定电压参考,该带隙电压参考电路中包括至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管,并对所述的晶体管分别提供PTAT电流,其中至少一个第二晶体管的工作电流密度低于至少一个第一晶体管的工作电流密度,并且所述的至少一个第二晶体管与至少一个第一晶体管协同工作来产生一个校准PTAT电压,该电压与所述第一及第二晶体管的基极-射极电压差成正比,用于与未经校准的晶体管基极-射极CTAT电压组合来产生所述的电压参考,其中一个CTAT校准电流与PTAT电流一同被提供给所述的至少一个第二晶体管中的一个,用以产生所述的校准PTAT电压,该电压的曲率与未经校准的晶体管基极-射极CTAT电压的TlnT温度曲率互补,因而当校准PTAT电压与未经校准的晶体管基极-射极CTAT电压组合时,产生的电压参考是温度稳定且经过TlnT温度曲率校准的。
地址 美国马萨诸塞州