| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种成本低、易使用及效率高的制造半导体器件的方法及具有以窄间距排列的微凸点的高性能半导体器件，该制造半导体器件的方法使得在形成凸点时不需要形成或去除阻挡金属。该方法包括如下步骤：在半导体衬底(10)的一个表面上形成多个电极焊盘(12)；形成覆盖在各个电极焊盘(12)的周边的绝缘层，例如无机绝缘层(14)和有机绝缘层(16)；在所述绝缘层(14，16)上有选择地形成掩模层(20)；清洗电极焊盘(12)的没有被所述绝缘层(14，16)覆盖的表面；在由所述绝缘层(14，16)和该掩模层(20)界定的区域中形成外部端子(46)，使其与所述电极焊盘(12)接触；以及去除该掩模层(20)。 | ||
| 申请公布号 | CN100527373C | 申请公布日期 | 2009.08.12 |
| 申请号 | CN200610100027.3 | 申请日期 | 2006.06.28 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 藤森城次 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：在半导体衬底的一个表面上形成多个电极焊盘；形成覆盖在各个电极焊盘(12)的周边的绝缘层；在该绝缘层上有选择地形成掩模层；清洗所述电极焊盘的没有被绝缘层覆盖的表面；在由该绝缘层和该掩模层界定的区域中形成外部端子，使其与所述电极焊盘接触；以及去除掩模层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||