掺杂单晶硅硅化电熔丝及其形成方法

摘要

一种电熔丝起始于在第一绝缘层上具有单晶硅层的单晶绝缘体上硅(SOI)结构。将单晶硅层构图为带。在构图之前或之后，用一种或多种杂质掺杂单晶硅层。随后硅化单晶硅层的至少上部以形成硅化带。在一个实施例中，硅化整个单晶硅带以形成硅化物带。在硅化物带上形成第二绝缘体，以使硅化带与周围结构隔离。在形成第二绝缘体之前或之后，该方法形成穿过第二绝缘体到硅化带末端的电接触。通过利用单晶硅带，如二极管、导体、绝缘体、晶体管等的任何形式的半导体可以形成熔丝结构的下面部分。上面的硅化物材料允许熔丝在其未编程状态下用作导体。然而，与在编程状态下仅包括绝缘体的金属或多晶硅基电熔丝相反，当本发明的电熔丝被编程时(并且硅化物被移动或断开)，下面的半导体结构以有源半导体器件工作。

主权项

1. 一种电熔丝结构，包括：掺杂单晶硅层，在第一绝缘层上；隔离区域，在所述绝缘层上，围绕所述掺杂单晶硅层并且从所述掺杂单晶硅层形成掺杂单晶硅岛；硅化物层，在所述掺杂单晶硅岛上；以及第二绝缘层，在所述硅化物层上，其中所述硅化物层适于在施加穿过所述掺杂单晶硅岛的电流时，在所述掺杂单晶硅岛上永久性地转移位置，所述硅化物层适于在施加穿过所述掺杂单晶硅岛的电流时，从覆盖所有所述掺杂单晶硅岛的第一位置移动到仅覆盖所述掺杂单晶硅岛的一个末端的第二位置。