沉积高介电常数薄膜的设备

摘要

本申请提供一种加热设备，其包括一平台，该平台至少包含一表面，其具有一区域以支撑一晶片及一本体；一轴，耦接至该平台；以及一第一及第二加热元件。该第一加热元件是设于该平台本体的一第一平面内。该第二加热元件则以一距该平台表面较该第一加热元件为远的距离设于该平台本体的一第二平面内，且该第二加热元件于一大致与该第一平面及第二平面的至少一者相平行的平面中是偏离于该第一加热元件。

主权项

1. 一种用于沉积薄膜的设备，该设备至少包含：处理室本体，所述处理室本体内定义有处理区域；第一汽化器；蒸汽输送系统，连接该第一汽化器及该处理区域，以距离该第一汽化器约小于三英尺的第一蒸汽路径穿过该蒸汽输送系统至该处理区域；处理室盖件，置于所述处理室本体上；喷洒头，连接到处理室盖件；密封件，与所述处理室本体以及处理室盖件相连接，其中所述处理室盖件进一步包括：第一温度控制区，与该密封件热接触，该第一温度控制区包括环形通道，环形通道设置在所述喷洒头的外围，接近所述处理室盖件以及密封件的外径的位置；以及第二温度控制区，与该处理区域热接触，该第二温度控制区包括电阻式加热器，电阻式加热器设置在所述环形通道的径向内侧以及喷洒头的上方。