| 发明名称 | 电荷陷入非易失存储单元及其阵列的编程方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露一种上升V<sub>S</sub>沟道起始二次电子注入(CHISEL)编程方法，用来编程电荷陷入非易失性存储单元。在该编程方法中，一个正源极电压会施加至电荷陷入非易失性存储单元的源极，一个正漏极电压会施加至电荷陷入非易失性存储单元的漏极，其中该正漏极电压大于该正源极电压。而且电荷陷入非易失性存储单元的衬底为接地。此外，一个正栅极电压会施加至电荷陷入非易失性存储单元的多晶硅栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN100524526C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200510114467.X | 申请日期 | 2005.10.27 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吕函庭;谢光宇 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王 昕 |
| 主权项 | 1. 一种电荷陷入非易失性存储单元的编程方法，该电荷陷入非易失性存储单元用来执行2位运算，其特征是该方法包括：施加正源极电压到该电荷陷入非易失性存储单元的源极上；施加正漏极电压到该电荷陷入非易失性存储单元的漏极上，以使得该正漏极电压会大于该正源极电压；以及将该电荷陷入非易失性存储单元的衬底接地。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县新竹科学工业园区力行路16号 | ||