一种俘获式非易失存储单元及使用其进行数据编程的方法

摘要

本发明的一较佳实施例提供了一种俘获式非易失存储单元，其包括有一个其上被形成有一N+源极与一N+漏极的P型半导体基底、一个被形成在该源极与该漏极之间的沟道。一个第一绝缘层、一个非传导式电荷陷获层、一个第二绝缘层、以及一个栅极被依序形成在该沟道之上。当非易失存储单元被擦除之时，陷获层会储存一定量的电子。

主权项

1、一种使用俘获式非易失存储单元进行数据编程的方法，包括以下步骤：提供一种俘获式非易失存储单元，该俘获式非易失存储单元包括有：一个P型半导体基底，该P型半导体基底包括有一个源极，一个与该源极分隔的漏极，以及一个被形成在该源极与该漏极之间的沟道区；一个覆盖住该沟道区的第一绝缘层；一个覆盖住该第一绝缘层的非传导式电荷陷获层，该非传导式电荷陷获层包括有一个邻近于该漏极的第一电荷储存区和一个邻近于该源极的第二电荷储存区；一个覆盖住该非传导式电荷陷获层的第二绝缘层；及一个覆盖住该第二绝缘层的栅极；及将电子拉出该俘获式非易失存储单元中的该非传导式电荷陷获层，以进行数据编程，包括有以下步骤：在该源极和该漏极的一第一电极与该栅极之间施加一第一电压差，其中，该第一电压差被施加以切断从该第一电极至该栅极的电流；以及在该源极和该漏极的一第二电极与该栅极之间施加一第二电压差，其中，该第二电压差被施加以形成一个电场，此电场会使一电流沿着从该第二电极至该陷获层的路径流动；其中，该存储单元是处于该编程状态之中；以及其中，该存储单元中的一个位被编程。