蚀刻方法及使用其之光／电子装置之制造方法

摘要

本发明系提供利用比较简单的制程，即使对例如III-V族氮化物半导体般之较难蚀刻的半导体层，仍可容易且精度佳地施行蚀刻之蚀刻方法。该蚀刻方法系包括有：在基体(1、2)表面上，形成金属氟化物层3作为蚀刻遮罩之至少一部分的步骤；将上述金属氟化物层施行液体处理的步骤；以及将上述金属氟化物层作为遮罩，对上述基体施行蚀刻的步骤。