| 发明名称 | 纳米尺度FET | ||
| 摘要 | 晶体管器件由连续的线形纳米结构形成，该纳米结构具有源区、漏区以及源区和漏区之间的沟道区。源区(20)和漏区(26)由纳米线形成而沟道区(24)由纳米管形成。提供与沟道区(24)相邻的绝缘栅极(32)，用以控制源区和漏区之间沟道区中的导电性。 | ||
| 申请公布号 | CN100521237C | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200580023972.1 | 申请日期 | 2005.07.12 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | R·叙尔迪努;P·阿加瓦尔;A·R·巴尔克宁德;E·P·A·M·巴克斯 |
| 分类号 | H01L29/775(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/775(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1. 一种晶体管器件，包括：连续的线形纳米结构(18)，该纳米结构具有掺杂的源区(20)、掺杂的漏区(26)以及源区(20)和漏区(26)之间的沟道区(24)；以及与沟道区相邻的绝缘的栅极(32)，用以控制源区和漏区之间的沟道区中的导电性，其中源区(20)是纳米线；漏区(26)是纳米线；且沟道区(24)是在源区和漏区之间延伸的纳米管。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||