| 发明名称 | CoCrPt系溅射靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于提供一种CoCrPt系溅射靶，该CoCrPt系溅射靶为，通过减少在该溅射靶内呈不均匀存在的、以高浓度含有铬原子的高铬含量粒子的尺寸和产生数量，从而提高靶的均匀性且抑制结节或电弧放电的产生，同时具有目标组成比。本发明的CoCrPt系溅射靶含有钴、铬、陶瓷和铂，其特征在于，在该溅射靶内呈不均匀存在的、以高浓度含有铬原子的高铬含量粒子的最大外径为40μm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101495667A | 申请公布日期 | 2009.07.29 |
| 申请号 | CN200780027834.X | 申请日期 | 2007.12.26 |
| 申请人 | 三井金属矿业株式会社 | 发明人 | 加藤和照;林信和 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22C19/00(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄 威;张 彬 |
| 主权项 | 1、一种CoCrPt系溅射靶，是一种含有钴、铬、陶瓷和铂的溅射靶，其特征在于，在该溅射靶内呈不均匀存在的、以高浓度含有铬原子的高铬含量粒子的最大外径为40μm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||