| 发明名称 | 半导体激光元件 | ||
| 摘要 | 本发明可提供“kink”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件，在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有活性层并且在其两端部具有非增益区域的窗区域，其中，在上述窗区域的上述脊部两侧具有由光吸收材料构成的埋入层。 | ||
| 申请公布号 | CN100514777C | 申请公布日期 | 2009.07.15 |
| 申请号 | CN200710096051.9 | 申请日期 | 2004.06.24 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 高濑祯 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/16(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1. 一种脊形结构的半导体激光元件，在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有活性层并且在其两端部具有非增益区域的窗区域，其中，仅在上述窗区域中的上述脊部两侧具有由光吸收材料构成的埋入层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||