| 发明名称 | 一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；3)运用模拟程序，计算出与实际样品高反带完全对应的砷化镓层的厚度，砷化铝层的厚度以及与实际腔模完全对应所要求的腔体的厚度；4)根据步骤3)所得数据对第一次生长样品高反带的砷化镓层厚度、砷化铝层厚度以及腔体厚度进行校正，并对分子束外延设生长样品的时间参数进行校正，生长出新样品。5)采用显微拉曼光谱仪测量新样品反射谱。 | ||
| 申请公布号 | CN101471396A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200710304257.6 | 申请日期 | 2007.12.26 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 孙晓明;郑厚植;章昊;甘华东;朱汇;谈笑天;肖文波;李韫慧 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;G05D5/02(2006.01)I;G01J3/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1. 一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法，其特征在于，包括如下步骤：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；3)运用模拟程序，计算出与实际样品高反带完全对应的砷化镓层的厚度，砷化铝层的厚度以及与实际腔模完全对应所要求的腔体的厚度；4)利用模拟得到的高反带的砷化镓层厚度、砷化铝层厚度以及腔体厚度对第一次生长样品高反带的砷化镓层厚度、砷化铝层厚度以及腔体厚度进行校正，根据校正数据对分子束外延设生长样品的时间参数进行校正，生长出新样品；5)检测新样品。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||