| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该阵列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；其中所述数据线与栅极扫描线形成在同一层上，且所述数据线被栅极扫描线分隔开为多段，分隔开的数据线通过其两端的接触孔与形成在像素电极层的接触电极进行电气连接；本发明可以省略传统薄膜晶体管阵列基板制造工艺流程中的数据线膜层的磁控溅射步骤，及相对应的曝光和湿法刻蚀工艺过程。 | ||
| 申请公布号 | CN100508200C | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200710045855.6 | 申请日期 | 2007.09.12 |
| 申请人 | 上海广电光电子有限公司 | 发明人 | 汤安东 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人 | 白璧华 |
| 主权项 | 1. 一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极；其特征在于所述数据线与栅极扫描线形成在同一层上，且所述数据线被栅极扫描线分隔开为多段，分隔开的数据线通过其两端的接触孔与形成在像素电极层的接触电极进行电气连接。 | ||
| 地址 | 200233上海市徐汇区宜山路757号三楼 | ||