| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在具有底层结构的半导体基板上形成蚀刻目标层；在蚀刻目标层上形成第一掩模图案；在包括第一掩模图案的蚀刻目标层上形成具有均一厚度的间隔物材料层；在间隔物材料层的凹口区域上形成第二掩模图案；以及用第一掩模图案和第二掩模图案作为蚀刻掩模，对蚀刻目标层进行蚀刻，以形成精细图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101465282A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200810180954.X | 申请日期 | 2008.11.20 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李基领;卜喆圭;潘槿道;许仲君 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在具有底层结构的半导体基板上形成蚀刻目标层；在所述蚀刻目标层上形成第一掩模图案，所述第一掩模图案包括第一部分和第二部分；在所述蚀刻目标层和所述第一掩模图案上形成具有大致均一厚度的间隔物材料层，所述间隔物材料层在所述第一掩模图案的第一部分和第二部分之间限定凹口区域；在所述间隔物材料层所限定的所述凹口区域中形成第二掩模图案；以及使用所述第一掩模图案和所述第二掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述蚀刻目标层，以形成具有期望图案的蚀刻目标层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||