| 发明名称 | 制造半导体器件的存储节点接触孔的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的存储节点接触孔的方法，包括：在衬底上形成中间绝缘层；在中间绝缘层上形成硬掩模；蚀刻中间层绝缘层以形成存储节点接触孔；形成钝化层以填充存储节点接触孔；利用硬掩模的蚀刻速率比中间绝缘层的蚀刻速率更快来移除硬掩模；和移除钝化层。 | ||
| 申请公布号 | CN100505210C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200610152834.X | 申请日期 | 2006.10.20 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 南基元 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的存储节点接触孔的方法，包括：在衬底上形成中间绝缘层；在中间绝缘层上形成硬掩模；蚀刻中间绝缘层以形成存储节点接触孔；形成钝化层以填充由中间绝缘层和硬掩模所限定的存储节点接触孔的空间；利用硬掩模的蚀刻速率比中间绝缘层的蚀刻速率更快来移除硬掩模；和移除钝化层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||