Halbleiterbauelement mit einem Chipgebiet, das für eine aluminiumfreie Lothöckerverbindung gestaltet ist, und eine Teststruktur, die für eine aluminiumfreie Drahtverbindung gestaltet ist

摘要

In modernen Halbleiterbauelementen mit kupferbasierten Metallisierungssystemen wird eine im Wesentlichen aluminiumfreie Höckerstruktur in Bauteilgebieten und eine im Wesentlichen aluminiumfreie Drahtverbindungsstruktur in Testgebieten auf Grundlage eines Fertigungsprozesses geschaffen, der zu identi in diesen Bauteilbereichen führt. Die Anzahl der Prozessschritte kann reduziert werden, indem eine roduktsubstrat oder ein Testsubstrat zum Abschätzen der Zuverlässigkeit von tatsächlichen Halbleiterbauelementen werden soll. Beispielsweise können Nickelkontaktelemente über kupferbasierten Kontaktbereichen gebildet werden, wobei das Nickel als eine Basis für die Drahtverbindung oder zum Ausbilden eines Höckermaterials darauf dient.