用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法和铜布线聚酰亚胺膜

摘要

本发明提供了一种高直线性和非常小-间距的酮布线聚酰亚胺膜。所述铜布线聚酰亚胺膜是由一种通过使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜(1)，由半添加法制备具有间距为20至45μm的铜布线部分的铜布线聚酰亚胺膜的方法所制备的。所述制备方法包括：(a)提供铜箔层压膜的步骤，所述铜箔层压膜包含在聚酰亚胺膜(2)的表面上的铜箔(4b)，所述铜箔(4b)具有不大于1.0μm的膜-侧表面粗糙度Rz，并且具有在0.5至2μm的范围内的厚度，(b)形成镀敷抗蚀剂图案层(17)的步骤，其中可以在所述铜箔的表面上形成间距为20至45μm的布线图案，(c)在从抗蚀剂暴露的铜箔部分上进行镀铜(10)的步骤，(d)去除的镀敷抗蚀剂的步骤，和(e)去除暴露在去除所述镀敷抗蚀剂的部分上暴露的所述铜箔以暴露聚酰亚胺膜(8)的步骤。

主权项

1. 一种用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法，所述铜布线聚酰亚胺膜具有间距为20至45μm的铜布线部分，所述方法使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，通过半添加法进行，所述方法包括下列步骤：(a)提供铜箔层压膜，所述铜箔层压膜包含一个或多个被直接层压在所述聚酰亚胺膜的一侧或两侧上的铜箔；所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述铜箔具有在0.5至2μm的范围内的厚度，(b)形成镀敷抗蚀剂图案层，所述镀敷抗蚀剂图案层能够在所述步骤(a)中提供的所述铜箔层压膜的所述铜箔的表面上形成具有间距为20至45μm的铜布线部分的布线图案；所述镀敷抗蚀剂图案层具有与所述布线图案相应的开口部分，(c)在从所述开口暴露的铜箔部分上进行镀铜，(d)去除在所述铜箔上的所述镀敷抗蚀剂图案层，和(e)去除暴露在其中已经去除所述镀敷抗蚀剂图案层的部分上的所述铜箔，由此暴露出所述聚酰亚胺膜。