| 发明名称 | 图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种在图形衬底上生长碳化硅(SiC)厚膜的方法。该方法通过采用光刻技术在硅衬底上获得图形，掩模版图形为平行长条状或正方形台面或它们的组合图形；然后在该图形化的硅衬底上采用化学气相沉积方法生长碳化硅厚膜。该发明生长的碳化硅膜在垂直台面方向纵向生长的同时在窗口区域进行横向合并生长，可以降低碳化硅外延层缺陷，提高外延碳化硅晶体质量；同时，在窗口区域合并后形成的中空结构可以释放应力，解决硅衬底和碳化硅之间大的失配带来的晶片翘曲问题，在碳化硅的大面积厚膜生长和快速生长技术中有着重要的应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN101442010A | 申请公布日期 | 2009.05.27 |
| 申请号 | CN200710177781.1 | 申请日期 | 2007.11.21 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵永梅;孙国胜;刘兴昉;王亮;王雷;赵万顺;李晋闽;曾一平 |
| 分类号 | H01L21/365(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/365(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1. 一种图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)采用光刻技术刻蚀硅衬底得到图形化的硅衬底；2)采用化学气相沉积方法生长碳化硅厚膜； | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||