场效应晶体管及其制造方法

摘要

在一个实施例中，半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有下层和覆盖该下层的上层。布置和构造该上层，以形成彼此隔开且自该下层的上表面伸出的第一和第二有源区。桥形的第三有源区与该下层的上表面垂直地隔开且连接该第一和第二有源区。该器件还包括栅电极，该栅电极形成有围绕该第三有源区的栅绝缘层，使得该第三有源区用作沟道。

主权项

1. 一种场效应晶体管的制造方法，该方法包括：提供包括下层和覆盖该下层的上层的半导体衬底；由该上层形成第一和第二有源区，该第一和第二有源区彼此隔开且自该下层的上表面伸出；形成桥形的第三有源区，其与该下层的上表面垂直地隔开且其连接该第一和第二有源区；以及形成围绕该第三有源区的栅绝缘层，且在该栅绝缘层上形成栅电极，以便该第三有源区用作沟道，其中，该第一、第二和第三有源区具有单晶结构。