发明名称 光电半导体元件
摘要 本发明涉及一种光电半导体元件,其具有:载体衬底;中间层,其在载体衬底和元件结构之间促成粘附,其中,该元件结构包括活性层,该活性层被设置用于产生辐射。
申请公布号 CN101443923A 申请公布日期 2009.05.27
申请号 CN200780014703.8 申请日期 2007.04.25
申请人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发明人 C·艾克勒;S·米勒;U·斯特劳斯;V·哈尔;M·萨巴西尔
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 卢 江;刘春元
主权项 1. 光电半导体元件,包括:载体衬底(1);和中间层(2),其在所述载体衬底(1)和元件结构(50)之间促成粘附,其中,所述元件结构(50)包括活性层(5),所述活性层(5)被设置用于产生辐射。
地址 德国雷根斯堡