| 发明名称 | 全耗尽Air_A1N_SOI MOSFETs器件结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的一种全耗尽Air_AlN_SOI MOSFETs器件结构，包括栅极、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>侧墙，栅极和Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>侧墙下面设置的栅氧化层，栅氧化层的正下方设置有沟道区，沟道区的两边分别设置有源区和漏区，源区、漏区与沟道区接触的内侧设置有扩展区，沟道区、源区和漏区的下方依次为绝缘层和硅衬底，其特点是绝缘层由Air和Air两侧设置的AlN绝缘层组成，Air设置于沟道区的正下方。通过先制备得到硅衬底，在用掩膜对硅片上的硅区进行各向异性，形成中间空余的结构，在使用现有方法实现上部分的结构。该器件结构能同时解决SOI器件中的自加热效应和SOAN器件中的泄漏电流增大和阈值电压漂移问题。 | ||
| 申请公布号 | CN100490181C | 申请公布日期 | 2009.05.20 |
| 申请号 | CN200710188439.1 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 西安理工大学 | 发明人 | 杨媛;高勇;巩鹏亮 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 | 代理人 | 罗 笛 |
| 主权项 | 1、一种全耗尽Air_AlN_SOI MOSFETs器件结构，包括栅极(1)、栅极(1)两边设置的Si3N4侧墙(2)，栅极(1)和Si3N4侧墙(2)的下面设置有栅氧化层(3)，栅氧化层(3)的正下方设置有沟道区(7)，沟道区(7)的两边分别设置有源区(4)和漏区(5)，源区(4)、漏区(5)与沟道区(7)接触的内侧设置有扩展区(6)，沟道区(7)、源区(4)和漏区(5)的下方依次为绝缘层和硅衬底(10)，其特征在于，所述的绝缘层由空洞层(8)和空洞层(8)两侧设置的AlN绝缘层(9)组成，所述的空洞层(8)设置于沟道区(7)的正下方。 | ||
| 地址 | 710048陕西省西安市金花南路5号 | ||