| 发明名称 | 等离子体处理装置用构件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种成膜性、耐久性、可靠性优异的等离子体处理装置用构件。在基材上具有纯度98％以上的陶瓷膜。陶瓷膜为粒径在50nm以下的粒子构成的膜。从膜中释放的水分量在10<sup>19</sup>分子/cm<sup>2</sup>以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101432461A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200780010909.3 | 申请日期 | 2007.02.20 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学;日本陶瓷科技股份有限公司 | 发明人 | 大见忠弘;北野真史;传井美史;佐藤敬辅;井口真仁 |
| 分类号 | C23C28/04(2006.01)I;C04B41/87(2006.01)I;C23C4/10(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | C23C28/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1. 一种等离子体处理装置用构件，是在基材上具有纯度98％以上的陶瓷膜的等离子体处理装置用构件，其特征在于，所述陶瓷膜的构成膜的粒子的粒径在50nm以下，从膜释放出的水分量为1019分子/cm2以下。 | ||
| 地址 | 日本国宫城县 | ||