发明名称 | 具有掺杂阻挡层的多结太阳电池 | ||
摘要 | 一种具有掺杂阻挡层的多结太阳电池,用于高效聚光太阳能发电系统。其特征在于,采用半导体单晶片为衬底,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生长多结太阳电池材料,在连接两结电池的隧道结两侧分别生长相同导电性的掺杂阻挡层,可以有效阻挡隧道结高浓度掺杂的杂质向外扩散,提高太阳电池的转换效率,延长太阳电池的使用寿命。 | ||
申请公布号 | CN101431117A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
申请号 | CN200810180078.0 | 申请日期 | 2008.11.24 |
申请人 | 北京索拉安吉清洁能源科技有限公司 | 发明人 | 索拉安吉 |
分类号 | H01L31/052(2006.01)I;H01L31/068(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/052(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 1、一种具有掺杂阻挡层的多结太阳电池,用于高倍聚光太阳能发电系统,其特征在于,利用掺杂阻挡层有效阻挡隧道结高浓度掺杂的杂质向外扩散。 | ||
地址 | 100032北京市西城区金融大街19号富凯大厦B座7-08B |