发明名称 半导体存储器件和存储器系统
摘要 本发明涉及半导体存储器件和存储器系统。提供了命令寄存器和地址寄存器,其中命令寄存器用于保存与提供自外部的访问请求相关的信息的译码结果,并且在处理电路即芯片控制电路和地址译码器中对与来自外部的访问请求相关的信息的译码,以及由访问控制电路在存储单元阵列中执行的与外部访问请求相对应的操作可以相互独立地并行执行,从而可以多重输入来自外部的访问请求,并且对于存储单元阵列中与外部访问请求相对应的操作和译码可以实现流水线化的操作,因此能够加快对半导体存储器件的访问操作,而不会引起任何问题。
申请公布号 CN101430927A 申请公布日期 2009.05.13
申请号 CN200810182920.4 申请日期 2004.12.31
申请人 富士通微电子株式会社 发明人 藤冈伸也;佐藤光德
分类号 G11C11/406(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I 主分类号 G11C11/406(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 赵淑萍;南 霆
主权项 1. 一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列,其中排列有多个存储数据的存储单元;刷新请求电路,其向外部输出刷新请求信号,该信号请求刷新操作,以保持存储在所述存储单元中的数据;处理电路,其译码与提供自外部的、对所述存储单元阵列的外部访问请求相关的信息,并基于译码结果来指示将在所述存储单元阵列中执行的操作;阵列控制电路,其基于来自所述处理电路的指示,对所述存储单元阵列执行操作,其中,所述外部访问请求包括作为刷新请求信号的响应的刷新执行请求。
地址 日本东京都