| 发明名称 | 半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体衬底(1)由具有纤维锌矿晶体结构的III族金属氮化物制成，以及其以汽相生长在晶格与所述半导体衬底材料不匹配的(0001)取向异质衬底(2)上，或者生长在所述半导体衬底材料的已有(0001)取向的高位错层(3)上，以及具有高度减少的位错密度。根据本发明，使用一种结构用于位错密度的减少，其包括位错重定向层(4)，位错重定向层(4)提供螺位错(6)向着具有除了(0001)外的指数和那些{1∴00}类型指数的高指数晶面的有意倾斜，以增加所述螺位错彼此汇合的概率；以及位错反应层(5)，位错反应层(5)定位在所述位错重定向层之上，其中所述螺位错(6)彼此聚结，导致在所述半导体衬底表面(7)的减少的螺位错密度。 | ||
| 申请公布号 | CN100487865C | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200580042970.7 | 申请日期 | 2005.05.19 |
| 申请人 | 奥普特冈有限公司 | 发明人 | 马克西姆·欧得诺莱多夫;弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫;亚历克斯·罗马诺夫;蒂姆·朗 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 霍育栋;郑 霞 |
| 主权项 | 1.一种半导体衬底(1)，其由具有纤维锌矿晶体结构的III族金属氮化物制成，以及其以汽相生长在晶格与所述半导体衬底材料不匹配的(0001)取向异质衬底(2)上，或者生长在所述半导体衬底材料的已有(0001)取向的高位错层(3)上，特征在于，所述半导体衬底(1)包括：位错重定向层(4)，其中布置螺位错(6)向着具有除了(0001)外的指数和那些{1<img file="C200580042970C0002112959QIETU.GIF" wi="36" he="55" />00}类型指数的高指数晶面倾斜，以增加所述螺位错彼此汇合的概率；以及位错反应层(5)，其定位在所述位错重定向层之上，其中所述螺位错(6)彼此聚结，导致在所述半导体衬底表面(7)的螺位错的密度减少。 | ||
| 地址 | 芬兰埃斯波 | ||