| 发明名称 | SOI晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种SOI晶片的制造方法，其至少具备从基体晶片或接合晶片的任一方的表面，离子注入在硅中为非电活性的中性元素而形成离子注入损伤层的工序，上述离子注入损伤层形成工序中的中性元素的离子注入，是将掺杂量设为1×10<sup>12</sup>atoms/cm<sup>2</sup>以上而未满1×10<sup>15</sup>atoms/cm<sup>2</sup>来进行。由此，提供一种SOI晶片的制造方法，可抑制漏泄电流的发生、氧化膜耐压恶化等，并具有充分的吸杂能力。 | ||
| 申请公布号 | CN101427347A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200780014472.0 | 申请日期 | 2007.04.23 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 吉田和彦;松峰昌男;竹野博 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;马少东 |
| 主权项 | 1. 一种SOI晶片的制造方法，其特征为：至少具备：准备由单晶硅所构成的基体晶片和接合晶片的工序；在上述基体晶片和上述接合晶片的至少其中一方的表面，形成绝缘膜的工序；从上述基体晶片或上述接合晶片的至少其中一方的表面，离子注入在硅中为非电活性的中性元素，形成离子注入损伤层的工序；以上述离子注入后的表面作为贴合面，隔着上述绝缘膜，贴合上述基体晶片和上述接合晶片的工序；以及使贴合后的上述接合晶片薄膜化的工序；其中，上述离子注入损伤层形成工序中的中性元素的离子注入，是将掺杂量设为1×1012atoms/cm2以上且未满1×1015atoms/cm2来进行。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||