| 发明名称 | 高性能3D FET结构及其使用择优晶体蚀刻的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及高性能三维(3D)场效应晶体管(FET)。具体而言，可以使用具有沿第一组等价晶面中的一个晶面取向的底表面和沿不同的第二组等价晶面取向的多个附加表面的3D半导体结构形成具有沿所述不同的第二组等价晶面取向的载流子沟道的高性能3D FET。更重要地，可以容易地在具有附加3D半导体结构的同一半导体衬底上形成这样的3D半导体结构，所述附加3D半导体结构具有均沿所述第一组等价晶面取向的底表面和多个附加表面。所述附加3D半导体结构可以用于形成附加3D FET，所述附加3D FET与上述3D FET互补并具有沿所述第一组等价晶面取向的载流子沟道。 | ||
| 申请公布号 | CN101427374A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200780014681.5 | 申请日期 | 2007.04.25 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | T·W·戴耶;H·S·杨 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L27/01(2006.01)I;H01L29/00(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L31/036(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于 静;李 峥 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括具有位于其上的三维(3D)半导体结构的衬底，所述三维半导体结构具有直接与所述衬底的上表面接触的底表面和不与所述衬底接触的多个附加表面，其中所述3D半导体结构的所述底表面沿第一组等价晶面中的一个晶面取向，并且所述3D半导体结构的所述多个附加表面沿不同的第二组等价晶面取向。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||