| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制造方法。根据本发明的氮化物半导体发光器件包括：形成在第一氮化物半导体层上的有源层；形成在有源层上的第二氮化物半导体层；具有AlIn的第三氮化物半导体层，该层形成在第二氮化物半导体层上。及氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上的n-AlInN覆盖层；形成在n-AlInN覆盖层上的n-InGaN层；形成在n-InGaN层上的有源层；形成在有源层上的p-InGaN层；形成在p-InGaN层上的p-AlInN覆盖层；形成在p-AlInN覆盖层上的第二氮化物半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN101425556A | 申请公布日期 | 2009.05.06 |
| 申请号 | CN200810174254.X | 申请日期 | 2005.08.19 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 李昔宪 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜有;王春伟 |
| 主权项 | [1]. 一种氮化物半导体发光器件，包括：第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上的n-AlInN覆盖层；形成在所述n-AlInN覆盖层上的n-InGaN层；形成在所述n-InGaN层上的有源层；形成在有源层上的p-InGaN层；形成在所述p-InGaN层上的p-AlInN覆盖层；和形成在所述p-AlInN覆盖层上的第二氮化物半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||