| 摘要 |
本发明系关于一种假闸极全环绕矽覆绝缘装置及其制作方法。该半导体装置之一下闸极介电层形成于一基板上，且一导电半导体层形成于该下闸极介电层之上。该具导电之半导体层具有一本体、一源极及一汲极，并且，该半导体装置之一上闸极及一下闸极连结于同一电极，使得该半导体装置之该上闸极及该下闸极环绕于本体之上方、下方及二侧，形成一近乎全环绕式闸极之结构。藉此，克服上闸极与下闸极间之耦合电容问题，故该半导体装置具有且较传统矽覆绝缘金属氧化物半导体元件(SOI MOSFET)或鳍式场效电晶体(Fin FET)较大的电流驱动和次临界转换特性。 |
