| 发明名称 | 一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法，其制作在硅衬底上。现有技术在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层后还进行高温退火致使热应力加剧，从而使制成的沟槽隔离结构产生边角损伤。本发明的可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法先在该硅衬底上制作隔离氧化层、保护阻挡层；接着光刻并刻蚀出隔离沟槽；然后在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层；之后通过化学气相沉积工艺填充该隔离沟槽；最后进行化学机械抛光工艺以形成沟槽隔离结构。采用本发明的可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法可大大减少沟槽隔离结构的边角损伤，大大提高沟槽隔离结构的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101419931A | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200710047358.X | 申请日期 | 2007.10.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴国燕 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈 蘅;李时云 |
| 主权项 | 1、一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法，该沟槽隔离结构制作在硅衬底上，该制作方法包括以下步骤：(1)在该硅衬底上制作隔离氧化层；(2)在隔离氧化层上制作保护阻挡层；(3)光刻并刻蚀出隔离沟槽；(4)在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层，其特征在于，该制作方法还包括以下步骤：(5)通过化学气相沉积工艺填充该隔离沟槽；(6)进行化学机械抛光工艺以形成沟槽隔离结构。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||