| 发明名称 | 一种p-NiO/n-Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O禁带宽度梯度化p-n结二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种p-NiO/n-Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O禁带宽度梯度化p-n结二极管，由p-NiO薄膜和禁带宽度梯度化Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜构成，其中x＝0～0.1。本发明还公开了所述p-n结二极管的制备方法，包括如下步骤：制备NiO前驱液；制备ZnO及Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O前驱液；制备Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O梯度薄膜；在上述Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O梯度薄膜上制备NiO薄膜；上述薄膜干燥后在500～600℃下退火，然后冷却到室温，制得禁带宽度梯度化p-NiO/n-Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>Op-n结二极管。本发明提供的p-n结二极管的结构有利于提高以ZnO为基础的光电器件的性能，制备方法简单、成本低、易控制化学组成，应用前景广阔。 | ||
| 申请公布号 | CN101419988A | 申请公布日期 | 2009.04.29 |
| 申请号 | CN200810199119.0 | 申请日期 | 2008.10.14 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 包定华;陈心满 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/267(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 陈 卫 |
| 主权项 | 1. 一种p-NiO/n-MgxZn1-xO禁带宽度梯度化p-n结二极管，其特征在于由p-NiO薄膜和禁带宽度梯度化MgxZn1-xO薄膜构成，其中x＝0～0.1。 | ||
| 地址 | 510275广东省广州市海珠区新港西路135号 | ||